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DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

僅供參考

型號 DMN26D0UFB4-7
PNEDA編號 DMN26D0UFB4-7
描述 MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 1,638,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN26D0UFB4-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN26D0UFB4-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN26D0UFB4-7, DMN26D0UFB4-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 285.46 KB)
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DMN26D0UFB4-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14.1pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝X2-DFN1006-3
包裝/箱3-XFDFN

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

325A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

137nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10322pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

375W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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STMicroelectronics

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

939pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 550mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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