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DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

僅供參考

型號 DMN3016LDV-13
PNEDA編號 DMN3016LDV-13
描述 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3016LDV-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3016LDV-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3016LDV-13, DMN3016LDV-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 417.75 KB)
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DMN3016LDV-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1184pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

295mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26pF @ 20V

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1021pF @ 30V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 16V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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