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DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

僅供參考

型號 DMN3055LFDB-13
PNEDA編號 DMN3055LFDB-13
描述 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3055LFDB-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3055LFDB-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3055LFDB-13, DMN3055LFDB-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 343.81 KB)
PDFDMN3055LFDB-7數據表 封面
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DMN3055LFDB-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds458pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

99A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

781W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, No Lead

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 87A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 20V

功率-最大

2.1W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerWDFN

供應商設備包裝

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FDD8424H-F085A

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制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 20V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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