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DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

僅供參考

型號 DMN33D8LDW-13
PNEDA編號 DMN33D8LDW-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN33D8LDW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN33D8LDW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN33D8LDW-13, DMN33D8LDW-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 289.06 KB)
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DMN33D8LDW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds48pF @ 5V
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 15V

功率-最大

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 15V

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23pF @ 25V

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