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IRF7530TRPBF

IRF7530TRPBF

僅供參考

型號 IRF7530TRPBF
PNEDA編號 IRF7530TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 158,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7530TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7530TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7530TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1310pF @ 15V
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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