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DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

僅供參考

型號 DMN61D9UDW-13
PNEDA編號 DMN61D9UDW-13
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN61D9UDW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN61D9UDW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN61D9UDW-13, DMN61D9UDW-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 533.15 KB)
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DMN61D9UDW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28.5pF @ 30V
功率-最大320mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.6nC, 9.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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