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DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

僅供參考

型號 DMN61D9UW-13
PNEDA編號 DMN61D9UW-13
描述 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN61D9UW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN61D9UW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN61D9UW-13, DMN61D9UW-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 480.13 KB)
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DMN61D9UW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)340mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28.5pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)320mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.36W (Ta), 62.5W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

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240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 260mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

97pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4766pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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