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DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

僅供參考

型號 DMN62D0UW-13
PNEDA編號 DMN62D0UW-13
描述 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN62D0UW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN62D0UW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN62D0UW-13, DMN62D0UW-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 531.6 KB)
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DMN62D0UW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)340mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds32pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)320mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

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42.8W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±45V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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