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DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

僅供參考

型號 DMN63D1LDW-13
PNEDA編號 DMN63D1LDW-13
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D1LDW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D1LDW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN63D1LDW-13, DMN63D1LDW-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 531.67 KB)
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DMN63D1LDW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 25V
功率-最大310mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5245pF @ 30V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 5V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

975pF @ 10V

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7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.04nC @ 1.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

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