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DMP2160UFDB-7R

DMP2160UFDB-7R

僅供參考

型號 DMP2160UFDB-7R
PNEDA編號 DMP2160UFDB-7R
描述 MOSFET P-CH SOT23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP2160UFDB-7R資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP2160UFDB-7R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMP2160UFDB-7R規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

455mA (Ta), 328mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

功率-最大

290mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

功率-最大

-

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

250W

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

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