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DMT47M2LDVQ-13

DMT47M2LDVQ-13

僅供參考

型號 DMT47M2LDVQ-13
PNEDA編號 DMT47M2LDVQ-13
描述 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT47M2LDVQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT47M2LDVQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMT47M2LDVQ-13, DMT47M2LDVQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 486.2 KB)
PDFDMT47M2LDVQ-7數據表 封面
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  • DMT47M2LDVQ-13 Distributor

DMT47M2LDVQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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