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DMTH4007LK3Q-13

DMTH4007LK3Q-13

僅供參考

型號 DMTH4007LK3Q-13
PNEDA編號 DMTH4007LK3Q-13
描述 MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH4007LK3Q-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH4007LK3Q-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMTH4007LK3Q-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16.8A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1895pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Ta), 12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

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