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DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

僅供參考

型號 DMTH6004SK3Q-13
PNEDA編號 DMTH6004SK3Q-13
描述 MOSFET NCH 60V 100A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 46,836
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6004SK3Q-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6004SK3Q-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMTH6004SK3Q-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4556pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.9W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-4L
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1647pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

82mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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