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DS1200

DS1200

僅供參考

型號 DS1200
PNEDA編號 DS1200
描述 IC SRAM 1K I2C 4MHZ 10DIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1200資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1200
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1200, DS1200數據表 (總頁數: 7, 大小: 228.39 KB)
PDFDS1200數據表 封面
DS1200數據表 頁面 2 DS1200數據表 頁面 3 DS1200數據表 頁面 4 DS1200數據表 頁面 5 DS1200數據表 頁面 6 DS1200數據表 頁面 7

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DS1200規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Kb (1K x 1)
內存接口I²C
時鐘頻率4MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱10-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝10-PDIP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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制造商

Insignis Technology Corporation

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

52-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

52-PLCC (19.13x19.13)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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