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DS28E07P+T

DS28E07P+T

僅供參考

型號 DS28E07P+T
PNEDA編號 DS28E07P-T
描述 IC EEPROM 1K 1WIRE 6TSOC
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS28E07P+T資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS28E07P+T
類別半導體內存IC內存
數據表
DS28E07P+T, DS28E07P+T數據表 (總頁數: 23, 大小: 878.35 KB)
PDFDS28E07Q+U數據表 封面
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DS28E07P+T規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (256 x 4)
內存接口1-Wire®
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間2µs
電壓-供電3V ~ 5.25V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
供應商設備包裝6-TSOC

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (256 x 8 x 4)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5ns

電壓-供電

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