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IDT71V3558SA100BG

IDT71V3558SA100BG

僅供參考

型號 IDT71V3558SA100BG
PNEDA編號 IDT71V3558SA100BG
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V3558SA100BG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V3558SA100BG
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V3558SA100BG, IDT71V3558SA100BG數據表 (總頁數: 28, 大小: 641.97 KB)
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IDT71V3558SA100BG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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48-SSOP

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