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DST847BPDP6-7

DST847BPDP6-7

僅供參考

型號 DST847BPDP6-7
PNEDA編號 DST847BPDP6-7
描述 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DST847BPDP6-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DST847BPDP6-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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DST847BPDP6-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大250mW
頻率-過渡175MHz, 340MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

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