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DTA043TEBTL

DTA043TEBTL

僅供參考

型號 DTA043TEBTL
PNEDA編號 DTA043TEBTL
描述 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA043TEBTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA043TEBTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTA043TEBTL, DTA043TEBTL數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,296.62 KB)
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DTA043TEBTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝EMT3F (SOT-416FL)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-89, SOT-490

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

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