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ECH8661-TL-H

ECH8661-TL-H

僅供參考

型號 ECH8661-TL-H
PNEDA編號 ECH8661-TL-H
描述 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8661-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8661-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8661-TL-H, ECH8661-TL-H數據表 (總頁數: 9, 大小: 411.75 KB)
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ECH8661-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A, 5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 20V

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

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