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EDW4032BABG-60-F-R TR

EDW4032BABG-60-F-R TR

僅供參考

型號 EDW4032BABG-60-F-R TR
PNEDA編號 EDW4032BABG-60-F-R-TR
描述 IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDW4032BABG-60-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDW4032BABG-60-F-R TR
類別半導體內存IC內存

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EDW4032BABG-60-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式RAM
技術SGRAM - GDDR5
內存大小4Gb (128M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.5GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.31V ~ 1.65V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱170-TFBGA
供應商設備包裝170-FBGA (12x14)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

MT29F4G16ABCHC:C TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-VFBGA

MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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