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EFC2J013NUZTDG

EFC2J013NUZTDG

僅供參考

型號 EFC2J013NUZTDG
PNEDA編號 EFC2J013NUZTDG
描述 MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $3.7542
250 ---------- $3.5783
500 ---------- $3.4023
1,000 ---------- $3.2263
2,500 ---------- $3.0796
5,000 ---------- $2.9330
庫存 14,475
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC2J013NUZTDG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC2J013NUZTDG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC2J013NUZTDG, EFC2J013NUZTDG數據表 (總頁數: 6, 大小: 127.51 KB)
PDFEFC2J013NUZTDG數據表 封面
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EFC2J013NUZTDG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs37nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.8W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝6-WLCSP (2x1.49)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

905pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

功率-最大

3.1W, 2.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A, 27A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1095pF @ 15V

功率-最大

3.5W, 4.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.4mOhm @ 10A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.2nC @ 4.5V

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