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EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

僅供參考

型號 EFC6602R-A-TR
PNEDA編號 EFC6602R-A-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6602R-A-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6602R-A-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EFC6602R-A-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝EFCP2718-6CE-020

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 30V

功率-最大

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 115mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.87nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Renesas Electronics America

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 10V

功率-最大

1.12W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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