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EFC6617R-TF

EFC6617R-TF

僅供參考

型號 EFC6617R-TF
PNEDA編號 EFC6617R-TF
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6617R-TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6617R-TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EFC6617R-TF規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3320pF @ 15V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

功率-最大

2.78W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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功率-最大

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工作溫度

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