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EGP10A

EGP10A

僅供參考

型號 EGP10A
PNEDA編號 EGP10A
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP10A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP10A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP10A, EGP10A數據表 (總頁數: 5, 大小: 267.22 KB)
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EGP10A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

19A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

360mV @ 19A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

18A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 18A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 35V

電容@ Vr,F

1400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

900A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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4500V

電流-平均整流(Io)

1140A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

6V @ 2500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 4500V

電容@ Vr,F

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