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EGP50C-E3/73

EGP50C-E3/73

僅供參考

型號 EGP50C-E3/73
PNEDA編號 EGP50C-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP50C-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP50C-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP50C-E3/73, EGP50C-E3/73數據表 (總頁數: 4, 大小: 63.14 KB)
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EGP50C-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F95pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝GP20
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMB

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電流-平均整流(Io)

120A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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D-67

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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