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EM6M1T2R

EM6M1T2R

僅供參考

型號 EM6M1T2R
PNEDA編號 EM6M1T2R
描述 MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 254,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6M1T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6M1T2R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EM6M1T2R, EM6M1T2R數據表 (總頁數: 7, 大小: 116.67 KB)
PDFEM6M1T2R數據表 封面
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EM6M1T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA, 200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13pF @ 5V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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150A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 50V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

420mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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