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EM6M2T2R

EM6M2T2R

僅供參考

型號 EM6M2T2R
PNEDA編號 EM6M2T2R
描述 MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 849,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6M2T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6M2T2R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EM6M2T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 200mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds25pF @ 10V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

299pF @ 15V

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

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