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EMD29T2R

EMD29T2R

僅供參考

型號 EMD29T2R
PNEDA編號 EMD29T2R
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMD29T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMD29T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMD29T2R, EMD29T2R數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,247.71 KB)
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EMD29T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 12V
電阻-基本(R1)1kOhms, 10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz, 260MHz
功率-最大120mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-553

供應商設備包裝

SOT-553

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制造商

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

270mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

100MHz, 200MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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