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EMG6T2R

EMG6T2R

僅供參考

型號 EMG6T2R
PNEDA編號 EMG6T2R
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMG6T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMG6T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMG6T2R, EMG6T2R數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,116.92 KB)
PDFFMG6AT148數據表 封面
FMG6AT148數據表 頁面 2 FMG6AT148數據表 頁面 3 FMG6AT148數據表 頁面 4 FMG6AT148數據表 頁面 5 FMG6AT148數據表 頁面 6 FMG6AT148數據表 頁面 7 FMG6AT148數據表 頁面 8 FMG6AT148數據表 頁面 9

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EMG6T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝EMT5

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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Surface Mount

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電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

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