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EPC2012C

EPC2012C

僅供參考

型號 EPC2012C
PNEDA編號 EPC2012C
描述 GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
制造商 EPC
單價
1 ---------- $2,331.2479
50 ---------- $2,221.9706
100 ---------- $2,112.6934
200 ---------- $2,003.4161
400 ---------- $1,912.3518
500 ---------- $1,821.2874
庫存 1,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2012C資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2012C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
EPC2012C, EPC2012C數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,143.19 KB)
PDFEPC2012C數據表 封面
EPC2012C數據表 頁面 2 EPC2012C數據表 頁面 3 EPC2012C數據表 頁面 4 EPC2012C數據表 頁面 5 EPC2012C數據表 頁面 6

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EPC2012C規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.3nC @ 5V
Vgs(最大)+6V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Die Outline (4-Solder Bar)
包裝/箱Die

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

634pF @ 6V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1040W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 84W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3270pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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