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EPC2024

EPC2024

僅供參考

型號 EPC2024
PNEDA編號 EPC2024
描述 GANFET NCH 40V 60A DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 13,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2024資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2024
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
EPC2024, EPC2024數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,551.16 KB)
PDFEPC2024數據表 封面
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EPC2024規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 19mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)+6V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2100pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Die
包裝/箱Die

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

240W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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