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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

僅供參考

型號 EPC2105ENGRT
PNEDA編號 EPC2105ENGRT
描述 GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2105ENGRT資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2105ENGRT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2105ENGRT, EPC2105ENGRT數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,210.08 KB)
PDFEPC2105ENG數據表 封面
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EPC2105ENGRT規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 40V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 35A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 15V

功率-最大

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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