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EPC2106

EPC2106

僅供參考

型號 EPC2106
PNEDA編號 EPC2106
描述 GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 78,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2106資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2106
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2106, EPC2106數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,564.58 KB)
PDFEPC2106ENGRT數據表 封面
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EPC2106規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 600µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.73nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 50V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 52A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 30V

功率-最大

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1945pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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8.3nC @ 10V

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