EPC2106ENGRT數據表
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制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs 70mOhm @ 2A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 600µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.73nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 75pF @ 50V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |
制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs 70mOhm @ 2A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 600µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.73nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 75pF @ 50V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |
