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ES1DL MTG

ES1DL MTG

僅供參考

型號 ES1DL MTG
PNEDA編號 ES1DL-MTG
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1DL MTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1DL MTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1DL MTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214BA

供應商設備包裝

DO-214BA (GF1)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

780mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

工作溫度-結點

175°C (Max)

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

900ps

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 40V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SC-79

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 100V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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