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ES2LJ R5G

ES2LJ R5G

僅供參考

型號 ES2LJ R5G
PNEDA編號 ES2LJ-R5G
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2LJ R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2LJ R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES2LJ R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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385mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 20V

電容@ Vr,F

170pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

27ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

230µA @ 650V

電容@ Vr,F

260pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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