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ES3AHM6G

ES3AHM6G

僅供參考

型號 ES3AHM6G
PNEDA編號 ES3AHM6G
描述 DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3AHM6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3AHM6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3AHM6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.8V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

電容@ Vr,F

200pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

5000V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

8V @ 50mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5000V

電容@ Vr,F

2pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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