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ESH1DHE3_A/H

ESH1DHE3_A/H

僅供參考

型號 ESH1DHE3_A/H
PNEDA編號 ESH1DHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH1DHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH1DHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH1DHE3_A/H, ESH1DHE3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 81.8 KB)
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ESH1DHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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供應商設備包裝

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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