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F3L200R12W2H3B11BPSA1

F3L200R12W2H3B11BPSA1

僅供參考

型號 F3L200R12W2H3B11BPSA1
PNEDA編號 F3L200R12W2H3B11BPSA1
描述 IGBT MODULE VCES 650V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $1,230.6767
50 ---------- $1,172.9888
100 ---------- $1,115.3008
200 ---------- $1,057.6128
400 ---------- $1,009.5395
500 ---------- $961.4662
庫存 4,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F3L200R12W2H3B11BPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F3L200R12W2H3B11BPSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
F3L200R12W2H3B11BPSA1, F3L200R12W2H3B11BPSA1數據表 (總頁數: 14, 大小: 849.15 KB)
PDFF3L200R12W2H3B11BPSA1數據表 封面
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F3L200R12W2H3B11BPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大600W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.75V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce11.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Infineon Technologies

系列

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGF150DU120TG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

NPT

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

961W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

FS150R07N3E4BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

430W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FP10R12W1T4B29BOMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

功率-最大

520W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D1

供應商設備包裝

D1

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