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FCPF067N65S3

FCPF067N65S3

僅供參考

型號 FCPF067N65S3
PNEDA編號 FCPF067N65S3
描述 MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCPF067N65S3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCPF067N65S3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCPF067N65S3, FCPF067N65S3數據表 (總頁數: 10, 大小: 314.46 KB)
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FCPF067N65S3規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET® III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs67mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4.4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3090pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)46W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4468pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

137W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

R6011KND3TL1

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

124W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

258nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

351pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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