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FDC6306P

FDC6306P

僅供參考

型號 FDC6306P
PNEDA編號 FDC6306P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6306P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6306P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6306P, FDC6306P數據表 (總頁數: 7, 大小: 175.8 KB)
PDFFDC6306P數據表 封面
FDC6306P數據表 頁面 2 FDC6306P數據表 頁面 3 FDC6306P數據表 頁面 4 FDC6306P數據表 頁面 5 FDC6306P數據表 頁面 6 FDC6306P數據表 頁面 7

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FDC6306P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds441pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC, 17.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF, 830F @ 10V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

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