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SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7872DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7872DP-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 24 - 三月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7872DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7872DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7872DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tj)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 20mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3680pF @ 800V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 10V

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.56nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 16V

功率-最大

1.65W

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

445pF @ 15V

功率-最大

7.8W

工作溫度

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