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FDC6401N

FDC6401N

僅供參考

型號 FDC6401N
PNEDA編號 FDC6401N
描述 MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6401N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6401N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6401N, FDC6401N數據表 (總頁數: 7, 大小: 190.6 KB)
PDFFDC6401N數據表 封面
FDC6401N數據表 頁面 2 FDC6401N數據表 頁面 3 FDC6401N數據表 頁面 4 FDC6401N數據表 頁面 5 FDC6401N數據表 頁面 6 FDC6401N數據表 頁面 7

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FDC6401N規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds324pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

105pF @ 10V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

615pF @ 25V

功率-最大

27.8W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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