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FDC8601

FDC8601

僅供參考

型號 FDC8601
PNEDA編號 FDC8601
描述 MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 53,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC8601資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC8601
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDC8601, FDC8601數據表 (總頁數: 8, 大小: 408.64 KB)
PDFFDC8601數據表 封面
FDC8601數據表 頁面 2 FDC8601數據表 頁面 3 FDC8601數據表 頁面 4 FDC8601數據表 頁面 5 FDC8601數據表 頁面 6 FDC8601數據表 頁面 7 FDC8601數據表 頁面 8

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FDC8601規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs109mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds210pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT™-6
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FP

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

PSMN1R1-30EL,127

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

243nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14850pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

338W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTD4805N-35G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2865pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.41W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NTD23N03R-1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.76nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1375pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

187W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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