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FDD850N10LD

FDD850N10LD

僅供參考

型號 FDD850N10LD
PNEDA編號 FDD850N10LD
描述 MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD850N10LD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD850N10LD
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD850N10LD, FDD850N10LD數據表 (總頁數: 13, 大小: 918.11 KB)
PDFFDD850N10LD數據表 封面
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FDD850N10LD規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1465pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-4L
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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漏極至源極電壓(Vdss)

70V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

298pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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