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FDG6304P

FDG6304P

僅供參考

型號 FDG6304P
PNEDA編號 FDG6304P
描述 MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6304P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6304P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6304P, FDG6304P數據表 (總頁數: 8, 大小: 267.72 KB)
PDFFDG6304P_D87Z數據表 封面
FDG6304P_D87Z數據表 頁面 2 FDG6304P_D87Z數據表 頁面 3 FDG6304P_D87Z數據表 頁面 4 FDG6304P_D87Z數據表 頁面 5 FDG6304P_D87Z數據表 頁面 6 FDG6304P_D87Z數據表 頁面 7 FDG6304P_D87Z數據表 頁面 8

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FDG6304P規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)410mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds62pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3168pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

功率-最大

900mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2615pF @ 30V

功率-最大

2.8W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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