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FDG6306P

FDG6306P

僅供參考

型號 FDG6306P
PNEDA編號 FDG6306P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6306P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6306P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6306P, FDG6306P數據表 (總頁數: 5, 大小: 276.63 KB)
PDFFDG6306P數據表 封面
FDG6306P數據表 頁面 2 FDG6306P數據表 頁面 3 FDG6306P數據表 頁面 4 FDG6306P數據表 頁面 5

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FDG6306P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds114pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2163pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

325mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

82pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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