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STS8DNF3LL

STS8DNF3LL

僅供參考

型號 STS8DNF3LL
PNEDA編號 STS8DNF3LL
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS8DNF3LL資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS8DNF3LL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STS8DNF3LL, STS8DNF3LL數據表 (總頁數: 14, 大小: 555.26 KB)
PDFSTS8DNF3LL數據表 封面
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STS8DNF3LL規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 25V
功率-最大1.6W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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HEXFET®

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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