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FDG6318P

FDG6318P

僅供參考

型號 FDG6318P
PNEDA編號 FDG6318P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6318P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6318P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6318P, FDG6318P數據表 (總頁數: 7, 大小: 240.77 KB)
PDFFDG6318P數據表 封面
FDG6318P數據表 頁面 2 FDG6318P數據表 頁面 3 FDG6318P數據表 頁面 4 FDG6318P數據表 頁面 5 FDG6318P數據表 頁面 6 FDG6318P數據表 頁面 7

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FDG6318P規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds83pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A, 960mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.08W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 10V

功率-最大

27W, 48W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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