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ALD212908APAL

ALD212908APAL

僅供參考

型號 ALD212908APAL
PNEDA編號 ALD212908APAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD212908APAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD212908APAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD212908APAL, ALD212908APAL數據表 (總頁數: 12, 大小: 111.34 KB)
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ALD212908APAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID20mV @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 30V

功率-最大

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